Neue Forschungsgruppe „Atomistische Simulation“ geleitet von neuem Mitarbeiter: Julien Guénolé

Das neue Jahr bringt uns einen neuen Mitarbeiter, der gleichzeitig die Leitung einer neuen Forschungsgruppe übernehmen wird.

Als Gruppenleiter für Atomistische Simulation dürfen wir Julien Guénolé recht herzlich an das IMM begrüßen!

Julien wird zusammen mit den Leitern der anderen Forschungsgruppen das Wechselspiel zwischen Materialstruktur und Eigenschaften mit Schwerpunkt auf den Vorgängen auf der atomaren Skala, z.B. abhängig von der Kristallstruktur, betrachten.

In einem Interview erklärt uns Julien was seine Beweggründe waren aus Erlangen an das IMM zu kommen:

„Die einzigartige Chance meine eigene Forschungsgruppe leiten zu können im vielseitigen, experimentellen Umfeld des IMMs stimmte hervorragend mit meinem persönlichen Wunsch geographisch weiter westlich zu arbeiten.“

Vielseitig wie das IMM ist auch Juliens Forschung. Grundsätzlich werden die fundamentalen Mechanismen der permanenten Materialverformung im Fokus stehen. Zudem ist Julien an der Interaktion zwischen Fehlstellen und Grenzflächen auf atomarer Ebene interessiert, um das mechanische Verhalten von komplexen Objekten und Materialien zu erklären. Um ein Beispiel zu nennen: kristalline Materialien, die durch eine Bestrahlung schwer beschädigt oder komplett amorph sind.

Wir sind begeistert von den vielversprechenden Ansätzen und wünschen Julien viel Freude und Erfolg bei uns am IMM.

Für alle, die mehr über Juliens Denkweise erfahren wollen, empfehlen wir folgende Publikationen:

  • Atom probe informed simulations of dislocation–precipitate interactions reveal the importance of local interface curvature, A. Prakash, J. Guénolé, et al., Acta Materialia 92 (2015), 33-45.
  • Atomistic simulations of focused ion beam machining of strained silicon, J. Guénolé, A. Prakash, E. Bitzek, Applied Surface Science 416 (2017), 86-95.
  • Plasticity in crystalline-amorphous core-shell Si nanowires controlled by native interface defects, J. Guénolé, J. Godet, S. Brochard, Physical Review B 87 (2013), 045-201.
  • Unexpected slip mechanism induced by the reduced dimensions in silicon nanostructures: Atomistic study, J. Guénolé, S. Brochard, J. Godet, Acta Materialia 59 (2011), 7464-7472.